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확률적 흡착 및 구조 보정에 기반한 원자층 증착 성장 예측 방법 및 장치

전구체의 분자 구조, 무작위 위치와 배향, 입체장애, 표면 반응 확률 및 흡착 후 원자 재배열을 함께 고려하여 반복적인 ALD 사이클에 따른 박막 성장 거동을 예측할 수 있다. 이를 통해 핵생성 지연, 사이클당 성장률, 박막 두께, 밀도 및 표면 거칠기를 사전에 산출할 수 있으며, 신규 전구체와 기판 재료의 선별 및 공정 조건 최적화에 활용할 수 있다. 또한 반복적인 실험에 따른 시행착오, 전구체 소비, 장비 점유 시간 및 공정개발 비용을 절감하여 ALD 공정의 개발 기간을 단축하고 양산 공정 도입의 효율성을 향상시킬 수 있다.