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머신러닝 모델 비교·평가 기반 암모니아 사고영향 예측 프로그램

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본 발명은 확률적으로 생성된 전구체 흡착 구성과 기계학습 포텐셜 기반 구조 보정을 결합하여 원자층 증착 박막의 성장 거동을 예측하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 전구체 분자의 위치와 배향, 기흡착종에 의한 입체장애 및 기판 표면에 따른 반응 확률을 고려하여 흡착 구조를 생성하고, 생성된 구조를 기계학습 포텐셜을 이용하여 이완 및 안정화한다. 안정화된 표면 구조를 다음 증착 사이클의 입력 구조로 반복 사용함으로써 초기 핵생성, 섬 성장, 합체 및 연속막 형성에 이르는 다층 박막 성장 과정을 모사할 수 있다. 또한 계산된 원자 구조로부터 핵생성 지연, 사이클당 성장률, 박막 두께, 밀도 및 표면 거칠기 등의 성장 특성을 산출할 수 있다.

본 발명은 축방향 자속 영구자석 전동기(Axial Flux Permanent Magnet Motor, AFPM)의 영구자석 구조에 관한 것으로, 장시간 연속 운전 환경에서 발생하는 영구자석의 와전류 손실 및 온도 상승을 저감함과 동시에 제조 비용을 절감할 수 있는 이중 등급(Dual-grade) 영구자석 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 서로 다른 자기적 특성을 갖는 두 종류의 영구자석을 하나의 자석 구조에 전략적으로 배치하여 자속 전달은 유지 또는 향상시키면서 영구자석 내부의 와전류 손실을 효과적으로 감소시키도록 구성된다. 이를 통해 영구자석의 온도 상승을 억제하여 열적 안정성을 향상시키고, 장시간 연속 운전 시 발생할 수 있는 자속 저하 및 성능 열화를 최소화할 수 있다. 또한 고가의 희토류 영구자석 사용량을 감소시켜 제조원가를 절감할 수 있으며, 기존의 영구자석 분할 구조에서 요구되는 복잡한 절연 및 가공 공정을 최소화하여 제조성과 경제성을 동시에 향상시킬 수 있다. 따라서 본 발명은 압축기와 같이 연속 운전이 요구되는 산업용 구동 시스템뿐만 아니라 전기차, 산업용 전동기 및 기타 고출력·고효율 전동기에도 적용 가능하며, 열적 안정성과 경제성을 동시에 만족하는 영구자석 설계 기술을 제공할 수 있다.

This invention presents a plasma-free hot-wire radical atomic layer etching process for Al₂O₃ thin films. The process sequentially modifies the Al₂O₃ surface using hexafluoroacetylacetone (Hhfac) and removes the modified layer using neutral atomic hydrogen or H/NHₓ radicals generated by dissociating H₂ or NH₃ on a heated tungsten filament. The cyclic and self-limiting surface reactions enable angstrom-scale thickness control while minimizing ion-induced plasma damage. The process also improves the surface smoothness of the remaining Al₂O₃ film and is applicable to defect-sensitive interfaces and complex three-dimensional semiconductor structures

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본 발명은 고분자 중합을 이용하여 다공성 티타늄 전달층(porous transport layer, PTL) 상에 금속 산화물 촉매를 직접 형성하는 전극 제조 방법 및 이에 의해 제조된 수전해용 전극에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 다공성 티타늄 기판 상에 고분자층을 형성하는 단계, 금속 전구체를 포함하는 고분자 전구체 용액에서 금속-고분자 네트워크를 형성하는 단계 및 열처리 단계를 포함한다. 고분자 중합 과정에서 금속-고분자 네트워크가 다공성 티타늄 기판에 균일하게 분산됨으로써 기판 전반에 걸쳐 균일한 촉매층을 형성할 수 있으며, 후속 열처리를 통해 금속 산화물 촉매가 형성되고 촉매와 기판 간 결합력이 향상될 수 있다. 고분자 네트워크는 금속 전구체의 균일한 분산을 유도하는 템플릿 역할과 열처리 과정에서 촉매 입자의 성장 및 응집을 억제하는 보호층 역할을 동시에 수행할 수 있다. 이에 따라 높은 표면적과 활성점 밀도를 유지할 수 있으며, 별도의 바인더 없이도 우수한 전기화학적 활성 및 장기 안정성을 확보할 수 있다. 본 발명의 제조 방법은 별도의 증착 장비 또는 정밀 제어 장치 없이 간단한 용액 공정과 열처리 공정만으로 수행될 수 있어 공정 재현성 및 확장성이 우수하며, 대면적 기판 및 복잡한 형상의 기판에도 적용 가능하다. 또한 다양한 금속 전구체를 적용할 수 있어 다원계 금속 산화물 전극 제조에도 활용될 수 있다.

한반도화교140년의 역사를 동남아화교와 일본화교 사회와의 비교분석을 통해 분석한 것이다. 글자는 72만장에 달하며, 한국은 물론이고 일본, 중국, 타이완 소재 사료를 발굴하여 분석한 대작이다. 출판사 <따비>가 출판비를 내고 이번에 출판하게 되었다.

본 발명은 이산화탄소 분리 성능이 향상된 혼합기질막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 고유 미세기공성 고분자(polymer of intrinsic microporosity, PIM-1) 유래의 카복실기 기능화 고분자 점(polymer dots, Pdots)을 Pebax 기지(matrix)에 분산시켜 이산화탄소/질소(CO₂/N₂) 분리용 혼합기질막을 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에서 PIM-1 유래 다공성 구조는 기체 전달을 위한 추가적인 이동 경로를 제공하며, poly(styrene-co-maleic anhydride)(PSMA)에 의해 도입된 카복실기는 이산화탄소에 대한 친화성과 고분자 기지와의 계면 상용성을 향상시킨다. 이에 따라 카복실기 기능화 Pdots가 도입된 혼합기질막은 기존 Pebax 분리막에 비해 이산화탄소 투과도와 CO₂/N₂ 선택도가 동시에 향상되었다. 특히, 0.5 중량%의 Pdots를 포함하는 혼합기질막은 우수한 분리 성능을 나타내었으며, 이산화탄소 투과도 232.61 Barrer와 CO₂/N₂ 선택도 53.47을 나타내어 기존 Pebax 분리막의 이산화탄소 투과도 148.99 Barrer 및 선택도 40.27보다 현저히 향상된 성능을 보였다. 또한, 상기 혼합기질막은 CO₂/N₂ 분리에 대한 Robeson upper bound에 근접하는 성능을 나타내었다. 따라서 본 발명은 다공성 구조와 카복실기 기능을 동시에 갖는 PIM 유래 고분자 점을 나노필러로 활용함으로써, 높은 기체 투과도와 선택도를 동시에 구현할 수 있는 고성능 이산화탄소 분리용 혼합기질막 및 이의 제조기술을 제공한다.

본 발명은 양성자교환막 수전해용 고성능 분리막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 친수성 작용기가 도입된 탄소 양자점(carbon quantum dots, CQDs)을 양성자교환막 표면에 코팅하여 막의 양성자 전도성, 화학적 안정성 및 막-전극 접합체(membrane–electrode assembly, MEA)의 계면 특성을 향상시키는 기술에 관한 것이다. 본 발명에서는 수열합성 온도를 조절하여 입자 크기 및 표면 기능기가 제어된 CQDs를 제조한 후, 이를 Nafion-212 막 표면에 간단한 코팅 공정을 통해 도입하였다. 또한, CQDs의 나노구조가 막의 미세구조, 양성자 전달 특성, 화학적 안정성 및 MEA 계면 접착 특성에 미치는 영향을 체계적으로 분석하였다. 그 결과, 최적화된 CQD 코팅 분리막은 발달된 이온 채널을 갖는 미세상 분리 구조를 형성하였으며, CQDs의 입자 크기와 Nafion 이온 클러스터 간의 크기 적합성이 효율적인 양성자 전달 경로 형성에 중요한 역할을 하는 것으로 확인되었다. 이에 따라 양성자 전도도, 산화 안정성, 막과 촉매층 간의 계면 접착력 및 수소 크로스오버 저항성이 모두 향상되었으며, 이를 적용한 막-전극 접합체는 기존 Nafion-212 막에 비해 높은 전류밀도와 우수한 내구성을 나타내었다. 따라서 본 발명은 탄소 양자점 표면 코팅을 통해 양성자 전달 특성과 막-촉매층 계면 특성을 동시에 향상시킬 수 있는 양성자교환막 수전해용 분리막 및 제조기술을 제공한다.