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기술정보
실리콘 및 실리콘저마늄 표면의 선택적 원자층 증착 방법 및 이를 위한 기판
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발명의 효과
본 발명은 과아세트산 및 부틸아세테이트 기반 전처리를 통해 실리콘 및 실리콘저마늄 표면의 반응성을 차별화하고, 이후 원자층 증착 공정에서 선택적 박막 성장을 유도할 수 있음. 이를 통해 복잡한 3차원 반도체 구조에서 불필요한 증착 및 후속 식각 공정을 줄일 수 있으며, 공정 손상 감소, 공정 단계 단축, 박막 위치 제어성 향상 등의 효과를 기대할 수 있음.
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주요 키워드