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전이 금속 탄화물 환원법, 몰리브덴 박막 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 몰리브덴 박막

3차원 메모리 반도체인 3차원 NAND는 고집적 화를 위해 더 많은 적층이 요구된다. 그러나 현재 3차원 NAND 내 워드라인 소재로 사용되는 텅스텐은 확산 방지막이 필요하여 적층 수에 한계가 있으며, 접촉 저항이 증가하는 단점이 존재한다. 3차원 NAND 내 워드라인 소재로 몰리브데넘을 적용할 경우, 텅스텐의 한계를 극복하고 확산 방지막이 불필요해져 공정 단순화가 가능하다. 또한 접촉 저항의 감소와 적층 수의 증가를 통해 소자의 전력 효율과 동작 속도의 증가를 향상시킬 수 있어, 차세대 고집적 메모리 소자의 성능 개선에 크게 기여할 것으로 기대된다.