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산화 방지층 형성 방법, 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자

본 발명은 몰리브데넘 탄화물 접촉 박막을 활용한 반도체 소자 내 저저항 산화 방지 방법을 제시한다. 반도체 소자 제작 중 금속 전극 위에 산화물 채널이 후속 증착될 경우 금속 산화막이 형성되어 접촉 저항이 크게 증가하는 문제가 발생한다. 몰리브데넘 탄화물은 낮은 비저항을 가지는 준금속이면서 동시에 우수한 산화 저항성을 지녀, 하부 금속 전극의 불필요한 산화를 효과적으로 억제할 수 있다. 또한 산화물 반도체와 접촉 시 오믹 접촉 형성이 가능하여 전극-채널 계면 특성을 개선한다. 이러한 특성을 기반으로한 몰리브데넘 탄화물 접촉 박막은 소자의 신뢰성과 성능을 동시에 향상시키며, 결과적으로 처리 속도와 전력 효율의 개선 효과를 기대할 수 있다.