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정보통신 (IT)
음의 정전용량을 가지는 결함이 있는 반도체 장치
대표 발명자
이영훈
출원번호
10-2024-0145361 (2024-10-23)
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기술정보
트랜지스터, 전계효과, 적층구조, 비정질 산화물 반도체, 네거티브 커패시턴스
발명의 효과
단결정 실리콘을 채널물질로 활용할 수 없는 상황에서 내부의 결함과 강유전체를 활용하여 저전력 고성능 동작을 가능하게 함.
주요 키워드
# 산화물 반도체
# 강유전체
# 결함
# 트랜지스터
# 3D
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