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본 발명은 실리콘 및 실리콘저마늄 표면 사이의 선택적 원자층 증착을 구현하기 위한 전처리 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 과아세트산을 이용하여 표면 산화 반응을 유도하고, 부틸아세테이트를 이용하여 특정 표면의 산화 또는 흡착 반응을 조절함으로써 실리콘 및 실리콘저마늄 표면 사이의 화학적 반응성 차이를 형성한다. 이후 원자층 증착 공정을 수행하면 두 표면 사이에서 박막 성장 거동의 차이가 나타나며, 이를 통해 선택적 박막 형성이 가능하다. 본 발명은 화학적으로 유사한 실리콘 및 실리콘저마늄 기반 구조에서 선택적 증착을 구현할 수 있어 차세대 3차원 반도체 소자 제조 공정에 적용될 수 있다.