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형성 공정이 없는 초저전력 데이터 저장 애플리케이션을 위한 광매개 다중 레벨 플렉시블 구리 요오드화물 저항성 랜덤 액세스 메모리 소자 및 이의 제조방법
형성 공정이 없는 초저전력 데이터 저장 애플리케이션을 위한 광매개 다중 레벨 플렉시블 구리 요오드화물 저항성 랜덤 액세스 메모리 소자 및 이의 제조방법
대표 발명자
진성훈
출원번호
10-2023-0110799 (2023-08-23)
등록번호
10-2814599 (2025-05-26)
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# 랜덤엑세스
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