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- 강유전체를 활용한 통상의 음의 정전용량 트랜지스터는 채널의 양자 커패시턴스의 영향에 의해 Id-Vg 곡선에 히스테리시스를 발생시켜, 음의 정전용량 동작에 따른 전압증폭 효과를 저해함. - 채널물질 내, 혹은 계면의 결함은 통상적으로 소자의 성능을 열화시키나, 음의 정전용량 트랜지스터에서는 역으로 결함이 소자 성능을 개선시킴. - 단결정 실리콘을 채널물질로 활용할 수 없는 상황에서 어쩔 수 없이 생기는 내부의 결함을 의도적으로 활용하여 저전력 고성능 동작을 실현. 이는 단결정성장이 용이하지 않은 모노리식 3D 집적기술에 있어 중요할 기술이 될 것임. 예를 들어 비정질 산화물 반도체는 모노리식 3D 집적기술 실현을 위해 소자의 채널물질로 각광을 받고 있으며, 이 비정질 산화물 반도체는 많은 결함을 보유하고 있으므로 음의 정전용량 트랜지스터의 성능을 극대화 시킬 수 있음. - 또힌 이미 상용화 되어있는 3D NAND cell의 경우 다결정 실리콘을 채널물질로 사용하고 있음. 다결정 실리콘은 다수의 결함을 가지고 있으므로 해당 기술의 적용을 검토해 볼 수 있음. 아울러 3D NAND cell의 채널을 산화물 반도체로 대체하려는 시도가 있으며 이 경우에도 산화물 반도체 내 결함을 활용한 엔지니어링이 가능.