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- AgInS2 및 CuAgInS2 양자점 소재에서 형광 반치폭 100 nm 이하의 띠끝(band edge) 발광 현상을 최초로 보고함. - 선행연구에서는 AgInS2 양자점 및 CuInS2 양자점에서는 형광(발광) 반치폭이 100 nm 이상의 넓은(broad)한 trap 발광 특성이 보고됨 - 2018년 이후, Ga doping된 AgInS2 및 AgInS2/Ga2S3 (핵/껍질) 구조의 양자점에서 좁은 반치폭 (100nm 이하)의 띠끝발광 현상이 보고됨 -하지만 Ga doping한 경우 발광파장이 600 nm 이하로 제한되며, 적색 (620 nm이상) 발광이 어려움. - 본 기술은 AgInS2 양자점 합성시, Ag:In:S 주입 비율을 (In/Ag >=2, S/Ag >=4) 하여, AgInS2 내부의 결정결함을 최소화하여, Ga 없이도 좁은 반치폭의 띠끝발광현상을 확보함. - 위 내용은 첨부의 논문으로 기 발표함 - 본 제안기술의 AgInS2 양자점에 추가적으로 Cu를 주입하여, 띠끝 발광파장을 800 nm 영역대까지 확대함.